布朗大学工程师在《Nature Materials》报告，超薄铁酸铋（BiFeO3）薄膜在仅几埃厚度下仍保留可切换电极化与磁性；此前把多铁薄膜缩至原子尺度会破坏这些特性。该研究于周四获ScienceDaily报道。据布朗大学与Superpower Daily周五报道，铁酸铋属耦合电、磁状态的多铁材料；薄膜减薄会因结构畸变和内部干扰电场产生死层，器件微缩多年受阻。
由布朗大学研究员卢卡斯·卡雷塔领衔的团队用三层结构应对双重失效：在晶格间距略小的钪酸镝（DyScO3）上生长铁酸铋，压缩薄膜并稳定原子排列；再加金属层抵消内部电场。测试确认，铁电切换与磁序在几埃厚度下仍存活，界面工程保住了功能序。工程薄膜还出现意外的交错磁行为和拓扑织构。
卡雷塔解释，常规铁磁体信号易读但切换慢、产生杂散磁场；反铁磁体快且无杂散磁场但难读；交错磁体可能兼顾高密度集成、高速与强电读出。项目获U.S.陆军研究办公室、U.S.国家Science基金会、U.S.能源部资助，原始图表数据公开存于Zenodo。
Superpower Daily周五强调，这仍是基础材料结果，不是成品处理器；要把超薄铁酸铋用于商用存储或逻辑产品，仍需大量器件工程和半导体制造兼容工作。9月21日Zenodo数据集提供主图与扩展图测量全文；把实验室薄膜变成可靠存储单元，还需在标准硅代工厂进行多年集成试验。
